10月18日，资本邦了解到，苏州东微半导体股份有限公司(下称“东微半导”)回复科创板二轮问询。

图片来源：上交所官网

在科创板二轮问询中，上交所主要就东微半导主要产品市场空间、经销收入、研发费用、高新技术企业资质和员工等八方面的问题。

关于主要产品市场空间，上交所要求发行人说明：(1)结合高压超级结MOSFET和中低压MOSFET产品市场规模的差距和增幅情况，以及目前发行人的产品结构，说明市场规模差距较大的原因，发行人选择高压超级结作为主要产品的合理性及其发展空间;(2)结合报告期内综合毛利率低于同行业可比公司毛利率、上游晶圆价格变动影响的传导及时性低等情况，说明发行人主要产品的市场竞争力如何体现，并对经营规模小、议价能力低、价格传导及时性低、单一产品收入占比高等事项进行重大事项提示;(3)发行人MOSFET产品的下游应用领域情况，在主要应用领域的市场竞争格局，以及与同行业主要厂商相比公司竞争优劣势的具体体现，并在招股说明书中作出针对性补充披露。

东微半导回复称，MOSFET器件根据电压平台分类的规格较多，具体可分为12V/20V/25V/30V/40V/60V/80V/100V/120V/150V/200V/250V/300V/400V/500V/550V/600V/650V/700V/800V//900V等。其中，一般将高压与中低压的分界线定义为400V电压平台，即耐压达到400V及以上的为高压MOSFET，以下则为中低压MOSFET。

因此，从电压平台的规格数量来看，耐压平台400V以下的中低压MOSFET涵盖的电压平台数量较高压MOSFET更多，对应的市场规模相对较大。根据Omdia，2020年，全球高压MOSFET的市场规模为18.0亿美元，中低压MOSFET的市场规模为52.4亿美元;中国高压MOSFET的市场规模为8.0亿美元，中低压MOSFET的市场规模为24.1亿美元。

高压超级结MOSFET产品的制造工艺更为复杂，主要包括多次外延和深沟槽外延两种。在多次外延制造方法中，即使采用最为精简的方法，也需要五次以上的外延、光刻、注入的循环工艺流程。当采用当前市面上最新一代的更低比导通电阻Rsp的超级结MOSFET多次外延制造技术时，比如英飞凌的P7系列超级结MOSFET，则需要10次以上的外延、光刻、注入工序，而且外延的浓度偏差和光刻的对偏都会对超级结MOSFET的制造良率造成不良影响，进一步提高了制造工艺的复杂度。当采用深沟槽外延工艺生产超级结MOSFET时，比如600V及650V高压超级结MOSFET，外延厚度需要达到40微米以上，沟槽深度达到36微米以上。

相较而言，中低压MOSFET中制造难度较大的屏蔽栅MOSFET的外延厚度通常在15微米以内，沟槽深度通常不超过10微米。综上，高压超级结MOSFET产品的制造工艺更为复杂，使得其产出相对不足，从而导致其市场规模较中低压MOSFET小。

根据器件结构进一步分类，高压MOSFET一般可分为高压超级结MOSFET以及高压平面MOSFET，其中超级结结构的性能更优，是更高性能的功率器件品类。根据Omdia数据，2020年全球高压超级结MOSFET的市场规模约为9.4亿美元，占全球高压MOSFET的比例为52.35%;经估算2020年中国高压超级结MOSFET的市场规模约为4.2亿美元。尽管目前高压超级结MOSFET的市场规模与中低压MOSFET相比较小，但是高压超级结MOSFET在包括新能源汽车、新能源汽车充电桩以及光伏等新兴下游应用领域中逐渐普及，随着该等应用领域的不断发展与涌现，预计市场需求未来会持续稳定增长。

综上所述，由于覆盖电压平台数量以及制造工艺复杂程度的差异，高压超级结MOSFET的市场规模相比中低压MOSFET较小。此外，高压超级结MOSFET为高压MOSFET中的高性能细分领域，与中低压MOSFET不属于完全可比的类别，因此市场规模相对较小。随着全球高压超级结MOSFET的制造工艺逐渐成熟，以及高压超级结MOSFET在新兴应用领域中的逐渐普及，其市场规模将逐步增长。

与中低压MOSFET相比，尽管高压超级结MOSFET的市场规模相对较小，但是此市场具有产品性能与技术要求高、进入门槛高、下游客户稳定、国内厂商布局相对较少以及更具市场发展潜力等特点。因此，发行人综合考虑了市场发展机遇、自身的技术以及产品优势以及行业发展趋势等因素，选择了以高压超级结MOSFET领域作为市场切入点。

从市场竞争来看，无论是在全球还是中国市场，高压超级结MOSFET的市场份额仍主要由国际厂商占据，国内功率器件厂商在此领域的布局相较国际厂商较为落后，国产化程度较低。在国产化替代的行业背景下，高压超级结MOSFET市场是更具发展机遇的细分领域，发行人选择该细分市场能够发挥技术优势，抓住国产化替代机遇，以更快地建立优质的客户基础，取得市场份额，实现高速发展。